FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

810 руб.

от 15 шт. — 751 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 810 руб.

Номенклатурный номер: 9110053254

Артикул: FGH40N60SMD

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

pdf, 1680 КБ

pdf, 5136 КБ

pdf, 906 КБ

pdf, 1008 КБ

pdf, 5138 КБ

С этим товаром покупают

Solins

750 руб.

MEAN WELL

3 090 руб.

Слюдяная Фабрика

660 руб.

ST Microelectronics

3 120 руб.

ChipDipDac

370 руб.

Мы рекомендуем

Технология/семейство	Field Stop/Gen 2
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	80
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	92
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	TO-247-3LD
Вес, г	7.5