FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
![Фото 1/9 FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307894.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
830 руб.
от 15 шт. —
779 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 830 руб.
Описание
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 115 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
| Корпус | TO-247-3LD | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
