IXDD609SI, 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 200 шт. —
380 руб.
от 300 шт. —
373 руб.
от 500 шт. —
346.84 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 40 000 руб.
Технические параметры
| Case | SO8-EP |
| Kind of integrated circuit | gate driver, low-side |
| Kind of output | non-inverting |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Number of channels | 1 |
| Operating temperature | -40…125°C |
| Output current | -9…9A |
| Turn-off time | 105ns |
| Turn-on time | 115ns |
| Type of integrated circuit | driver |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 316 КБ
