IRFU320PBF, Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 42Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 27 шт. —
79 руб.
от 54 шт. —
73 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 3.1А 42Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-251AA | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800 10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 | |
| Maximum IDSS (uA) | 25 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-251 | |
| Supplier Package | IPAK | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 13 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20(Max) | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20(Max)10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350 25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 14 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 | |
| Drain Source On State Resistance | 1.8Ом | |
| Power Dissipation | 42Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Монтаж транзистора | Through Hole | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 400В | |
| Непрерывный Ток Стока | 3.1А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В | |
| Рассеиваемая Мощность | 42Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.8Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Packaging | Tube | |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | TO-251AA | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 0.658 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
