AON6403, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -67А, 33Вт, DFN8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 30 шт. —
131 руб.
от 100 шт. —
109.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET AON6403 от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высокопроизводительный компонент в корпусе DFN8 для SMD монтажа. Он обладает током стока 67 А и напряжением сток-исток 30 В, что обеспечивает его мощностью до 33 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0031 Ом, что делает AON6403 идеальным выбором для эффективного управления мощностью в различных областях применения. Малое сопротивление в открытом состоянии способствует уменьшению потерь энергии и повышению эффективности устройства. Использование AON6403 позволяет повысить надежность и производительность ваших проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 67 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 33 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0031 |
| Корпус | DFN8 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 85 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.1@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 83000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | Unknown |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | DFN EP |
| Typical Fall Time (ns) | 52 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 163 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 163@10V|79@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7600@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 18 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 135 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ
