BC848ALG

Фото 1/6 BC848ALG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.39 руб.
от 10 шт.23 руб.
от 100 шт.7.40 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 186 руб.
Номенклатурный номер: 8002981686

Описание

Электроэлемент
TRANS, BIPOL, NPN, 30V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:BCxxx Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C

Технические параметры

Category Bipolar Small Signal
Collector Current (DC) 0.1(A)
Collector Current (DC) (Max) 0.1 A
Collector-Base Voltage 30(V)
Collector-Emitter Voltage 30(V)
Configuration Single
DC Current Gain 110
DC Current Gain (Min) 110
Emitter-Base Voltage 5(V)
Frequency 100(MHz)
Frequency (Max) 100 MHz
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Package Type SOT-23
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Power Dissipation 0.3(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity NPN
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
PCB changed 3
Package Height 0.94
Lead Shape Gull-wing
Package Width 1.3
Package Length 2.9
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 110@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Automotive No
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC848AL
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Maximum Collector Base Voltage 30 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Mounting Type Surface Mount
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.033

Техническая документация

Datasheet
pdf, 236 КБ
Datasheet
pdf, 108 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847BLT1G
pdf, 108 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов