Мой регион: Россия

SIR882DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

Ном. номер: 8001000308
PartNumber: SIR882DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
SIR882DP-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
225 руб.
174 руб.
2826 шт.,
срок 4-6 недель
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 1 044 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
TrenchFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2.8
Maximum Continuous Drain Current (A)
17.6
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
8.7@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
18.3@4.5V|38.5@10V|29@7.5V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
38.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1930@50V
Maximum Power Dissipation (mW)
5400
Typical Fall Time (ns)
8|9
Typical Rise Time (ns)
12|15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
35|36
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12|13
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
8
Supplier Package
PowerPAK SO
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.04
Package Length
4.9
Package Width
5.89
PCB changed
8
Lead Shape
No Lead

Дополнительная информация

Datasheet SIR882DP-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.