Мой регион: Россия

SI1012CR-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

Ном. номер: 8001000365
PartNumber: SI1012CR-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI1012CR-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI1012CR-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
58 руб.
488 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 41.30 руб.
от 25 шт. — 37.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
29 руб. 2 недели, 260 шт. 20 шт. 20 шт.
49 руб. 3-4 недели, 48980 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 46 руб.
от 100 шт. — 23 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.68mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Vishay
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Package Type
SOT-416 (SC-75A)
Maximum Power Dissipation
240 mW
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
0.86mm
Height
0.8mm
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Drain Source Resistance
1.1 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V

Дополнительная информация

Datasheet SI1012CR-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.