Мой регион: Россия

SI2329DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R

Ном. номер: 8001001263
PartNumber: SI2329DS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SI2329DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SI2329DS-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
68 руб.
1821 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 54.90 руб.
от 25 шт. — 53.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
59 руб. 2 недели, 4940 шт. 20 шт. 20 шт.
87 руб. 3-4 недели, 16831 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 72 руб.
от 100 шт. — 47 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Process Technology
TrenchFET
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
8
Maximum Gate Source Voltage (V)
±5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
0.8
Maximum Continuous Drain Current (A)
5.3
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
30@4.5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
11.8@2.5V|19.3@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1485@4V
Maximum Power Dissipation (mW)
1250
Typical Fall Time (ns)
20
Typical Rise Time (ns)
22
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
46
Typical Turn-On Delay Time (ns)
20
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Standard Package Name
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.02(Max)
Package Length
3.04(Max)
Package Width
1.4(Max)
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing

Дополнительная информация

Datasheet SI2329DS-T1-GE3
Datasheet SI2329DS-T1-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.