Мой регион: Россия

SI3464DV-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R

Ном. номер: 8001001395
PartNumber: SI3464DV-T1-GE3
Производитель: Vishay
SI3464DV-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
70 руб.
3000 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 59 руб.
от 25 шт. — 57.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
50 руб. 2 недели, 1320 шт. 20 шт. 20 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Максимальное рассеяние мощности
3,6 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.7мм
Высота
1мм
Размеры
3.1 x 1.7 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
5 нс
Производитель
Vishay
Типичное время задержки выключения
43 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Максимальное сопротивление сток-исток
30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
6
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 8 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1065 пФ при 10 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.