MMBT2222ATT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 руб.
Мин. кол-во для заказа 6600 шт.
от 10000 шт. —
4.70 руб.
Добавить в корзину 6600 шт.
на сумму 33 000 руб.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PCB changed | 3 |
| Package Height | 0.75 |
| Mounting | Surface Mount |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 1.6 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 75 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.6 |
| Minimum DC Current Gain | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40@500mA@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 300(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | SOT-416 |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | SOT |
| Military | No |
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 35 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-75-3 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | MMBT2222AT |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| DC Current Gain hFE Min | 35hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT2222ATT1G
pdf, 119 КБ
Datasheet MMBT2222ATT1G
pdf, 79 КБ
Datasheet MMBT2222ATT3G
pdf, 83 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
