Мой регион: Россия

ZXMC3AMCTA, Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

Ном. номер: 8001006646
PartNumber: ZXMC3AMCTA
Производитель: Diodes Incorporated
ZXMC3AMCTA, Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
111 руб.
2000 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 96.50 руб.
от 25 шт. — 96.10 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
95 руб. 2 недели, 8950 шт. 10 шт. 10 шт.
от 30 шт. — 84 руб.
от 150 шт. — 62 руб.
от 750 шт. — 53.59 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 А, 3,7 А
Тип корпуса
DFN
Максимальное рассеяние мощности
2,45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
2.075мм
Высота
0.78мм
Размеры
3.075 x 2.075 x 0.78мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
3.08мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
1.5 ns, 1.7 ns
Производитель
DiodesZetex
Типичное время задержки выключения
6,6 нс, 11,3 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мОм, 330 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3,9 нКл при 10 В, 6,4 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
190 пФ при 25 В, 206 пФ при -15 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet ZXMC3AMCTA

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.