IRLR120TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 руб.

от 5 шт. — 150 руб.

от 25 шт. — 117 руб.

от 100 шт. — 91.03 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8005647112

Артикул: IRLR120TRPBF

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, DPAK Характеристики

EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Tab	Tab
Package Width	6.22(Max)
Package Height	2.39(Max)
Package Length	6.73(Max)
PCB changed	2
Mounting	Surface Mount
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±10
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2
Maximum Continuous Drain Current (A)	7.7
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum IDSS (uA)	25
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	270@5V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	12(Max)@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	490@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	2500
Typical Fall Time (ns)	27
Typical Rise Time (ns)	64
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	21
Typical Turn-On Delay Time (ns)	9.8
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Supplier Package	DPAK
Standard Package Name	TO-252
Pin Count	3
Military	No
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Вес, г	0.37

pdf, 1299 КБ

Мы рекомендуем