IRFI520GPBF, N-Channel MOSFET, 7.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP IRFI520GPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 250 шт. —
148 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Chan 100V 7.2 Amp
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 270 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 37 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220FP |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Package Width | 4.83(Max) |
| Package Height | 16.12(Max) |
| Package Length | 10.63(Max) |
| Tab | Tab |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Mounting | Through Hole |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 270@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 360@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 37000 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.8 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Supplier Package | TO-220 Full-Pak |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRFI |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1608 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1595 КБ
Datasheet IRFI520GPBF
pdf, 1609 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
