MJB44H11T4G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 216 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5 0.8A 8A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1 0.4A 8A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 10 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm (Max) |
| Длина | 10.29 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | MJB44H11 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm (Max) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
