Мой регион: Россия

MJB44H11T4G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Ном. номер: 8001008228
PartNumber: MJB44H11T4G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJB44H11T4G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJB44H11T4G, Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
126 руб.
104 руб.
8 шт.,
срок 4-6 недель
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 2 недели, 1380 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 94 руб.
от 200 шт. — 83 руб.
от 500 шт. — 73.96 руб.
160 руб. 3-4 недели, 872 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 135 руб.
от 100 шт. — 104 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
20 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В пост. тока
Длина
10.29мм
Максимальное напряжение коллектор-база
10 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности
50 W
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
9.65мм
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Тип транзистора
NPN
Высота
4.83мм
Число контактов
3
Размеры
10.29 x 9.65 x 4.83мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40

Дополнительная информация

Datasheet MJB44H11T4G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.