Мой регион: Россия

MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Ном. номер: 8001009567
PartNumber: MJE3055TG
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
91 руб.
100 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 79.40 руб.
от 100 шт. — 55.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
200 руб. 2 недели, 659 шт. 1 шт. 1 шт.
от 20 шт. — 99 руб.
от 25 шт. — 92 руб.
от 50 шт. — 83 руб.
150 руб. 3-4 недели, 1577 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 69 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
2 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Максимальное напряжение коллектор-база
70 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5

Дополнительная информация

Datasheet MJE3055TG

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.