MJE3055TG, Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 руб.
Мин. кол-во для заказа 350 шт.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 350 шт.
на сумму 34 300 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 10A 60V 125W NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 75 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | MJE3055T |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 70 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 2 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Minimum DC Current Gain | 20 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
