IRF9540STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 19A

Фото 1/4 IRF9540STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 19A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт.300 руб.
от 16 шт.280 руб.
от 32 шт.269 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 700 руб.
Номенклатурный номер: 8006303520
Артикул: IRF9540STRLPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 100В 19A

Технические параметры

Корпус D2Pak(TO-263)
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 19
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 61(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 61(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1400@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 150000
Typical Fall Time (ns) 57
Typical Rise Time (ns) 73
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 34
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name TO-263
Pin Count 3
Supplier Package D2PAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 4.83(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 9.65(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Вес, г 2.29

Техническая документация

Datasheet IRF9540STRLPBF
pdf, 207 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов