BSP52T1G, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

44 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 65 шт. — 38 руб.

от 130 шт. — 35 руб.

от 255 шт. — 32.24 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 8017970167

Артикул: BSP52T1G

Описание Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 80В, 800мА, 1Вт, SOT223-4 Характеристики

Maximum Base Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Maximum Collector Base Voltage	90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.3 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Continuous Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	2000
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	3.5mm
Вес, г	0.2