Мой регион: Россия

MJD31CT4G, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Ном. номер: 8001011460
PartNumber: MJD31CT4G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJD31CT4G, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJD31CT4G, Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
56 руб.
583 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 48.60 руб.
от 25 шт. — 47.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
55 руб. 3 дня, 1500 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 21 руб.
от 200 шт. — 20 руб.
24 руб. 4 дня, 399 шт. 1 шт. 26 шт.
от 30 шт. — 21 руб.
от 60 шт. — 14 руб.
от 119 шт. — 13 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
3 MHz
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
1,56 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.22мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
2.38мм
Число контактов
3
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10

Дополнительная информация

Datasheet MJD31CT4G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.