MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 500 шт. —
8.80 руб.
от 3000 шт. —
7.29 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 375 руб.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 30В, 0,5А, 225мВт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -0.5 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 5000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Cut-Off Current | 0.1 uA |
| Maximum DC Collector Current | 0.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
| Product Category | Darlington Transistors |
| Product Type | Darlington Transistors |
| Series | MMBTA63L |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet MMBTA64LT3G
pdf, 84 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
