Мой регион: Россия

BUL216, Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Ном. номер: 8001011713
PartNumber: BUL216
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BUL216, Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BUL216, Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB TubeФото 3/3 BUL216, Trans GP BJT NPN 800V 4A 9000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
138 руб.
12390 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 124 руб.
от 100 шт. — 106 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
24 руб. 496 шт. 1 шт. 193 шт.
170 руб. 38 шт. 1 шт. 1 шт.
170 руб. 2 недели, 86 шт. 1 шт. 10 шт.
от 50 шт. — 144 руб.
59 руб. 4 дня, 16 шт. 1 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
High Voltage Transistors, STMicroelectronics

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
1600 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
800 В
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
9 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
4 A
Тип транзистора
NPN
Высота
9.15мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10

Дополнительная информация

Datasheet BUL216

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.