NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 20В; 2,3А; 1Вт; SOT363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
84 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
52 руб.
от 150 шт. —
44 руб.
от 500 шт. —
34.84 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 60@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Small Signal |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SC-88 |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.9@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 500@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 21 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 216 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
