SI7460DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 810 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | No Lead |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.6@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1900 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | PowerPAK SO |
Typical Fall Time (ns) | 30 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 65 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 65@10V |
Typical Rise Time (ns) | 16 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 75 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 340 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов