SI7460DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 810 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1900 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO |
| Typical Fall Time (ns) | 30 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 65@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 75 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 340 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
