Мой регион: Россия

SI4434DY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R

Ном. номер: 8001012706
PartNumber: SI4434DY-T1-E3
Производитель: Vishay
SI4434DY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
297 руб.
998 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 267 руб.
от 25 шт. — 256 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 297 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Product Category
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage (V)
250
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
155@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
34@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
34
Maximum Power Dissipation (mW)
1560
Typical Fall Time (ns)
19
Typical Rise Time (ns)
23
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
47
Typical Turn-On Delay Time (ns)
16
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC N
Standard Package Name
SOP
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.55(Max)
Package Length
5(Max)
Package Width
4(Max)
PCB changed
8
Lead Shape
Gull-wing

Дополнительная информация

Datasheet SI4434DY-T1-E3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.