ZXTP2013GTA, Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
150 руб.
от 500 шт. —
115.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Med Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | ZXTP201 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Base Product Number | ZXTP2013 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 3W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Collector |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 400mA 4A |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 140 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 125(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 100 10mA 1V|100 1A 1V|25 3A 1V|15 4A 1V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 440 КБ
Datasheet ZXTP2013GTA
pdf, 454 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
