Мой регион: Россия

ZXTP2013GTA, Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Ном. номер: 8001013191
PartNumber: ZXTP2013GTA
Производитель: Diodes Incorporated
ZXTP2013GTA, Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
57 руб.
21058 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 53.10 руб.
от 25 шт. — 53 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
110 руб. 2 недели, 935 шт. 5 шт. 5 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
General Purpose PNP Transistors, Over 1.5A, Diodes Inc

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,34 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
125 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
140 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1.6 W
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
5 A
Тип транзистора
PNP
Высота
1.7мм
Число контактов
3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.