Мой регион: Россия

NE5517DR2G, SP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R

Ном. номер: 8001014219
PartNumber: NE5517DR2G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NE5517DR2G, SP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NE5517DR2G, SP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R
117 руб.
99 руб.
59 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 96 руб.
от 25 шт. — 95.60 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
310 руб. 2 недели, 38 шт. 2 шт. 2 шт.
от 20 шт. — 180 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
NE5517, Dual Operational Transconductance Amplifier, ON Semiconductor

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Type
Transconductance Amplifier
Number of Elements per Chip
2
Number of Channels per Chip
2
Minimum CMRR Range (dB)
75 to 85
Minimum CMRR (dB)
80
Typical Output Current (mA)
0.5@±15V
Maximum Input Offset Voltage (mV)
5@±15V
Maximum Operating Supply Voltage (V)
44|±22
Maximum Supply Voltage Range (V)
30 to 50
Maximum Single Supply Voltage (V)
44
Maximum Dual Supply Voltage (V)
±22
Maximum Input Bias Current (uA)
5@±15V
Maximum Supply Current (mA)
4@±15V
Maximum Input Resistance (MOhm)
0.026(Typ)@±15V
Maximum Power Dissipation (mW)
1125
Minimum Operating Temperature (°C)
0
Maximum Operating Temperature (°C)
70
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
16
Power Supply Type
Single|Dual
Supplier Package
SOIC
Standard Package Name
SOP
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.5(Max)
Package Length
10(Max)
Package Width
4(Max)
PCB changed
16
Lead Shape
Gull-wing

Дополнительная информация

Datasheet NE5517DR2G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.