Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFD210PBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRFD210PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 22 шт. — 110 руб.

от 43 шт. — 93 руб.

от 100 шт. — 89 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8393993004

Артикул: IRFD210PBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт

Технические параметры

Корпус	DIP-4
Id - непрерывный ток утечки	600 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	8.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	IRFD
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	HVMDIP-4
Base Product Number	IRFD210 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	4-DIP (0.300"", 7.62mm)
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 360mA, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.10.00.80
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single Dual Drain
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	200
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	1500@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	8.2(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	8.2(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	140@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	1000
Typical Fall Time (ns)	8.9
Typical Rise Time (ns)	17
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	14
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8.2
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Standard Package Name	DIP
Pin Count	4
Supplier Package	HVMDIP
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	3.37(Max)
Package Length	5(Max)
Package Width	6.29(Max)
PCB changed	4
Lead Shape	Through Hole
RoHS	Подробности
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	20 V
Время нарастания	17 ns
Время спада	17 ns
Производитель	Vishay
Типичное время задержки выключения	14 ns
Maximum Continuous Drain Current	600 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	HVMDIP
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Width	6.29mm
Вес, г	0.7