Мой регион: Россия

2SA2040-E, Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag

Ном. номер: 8001015526
PartNumber: 2SA2040-E
Производитель: ON Semiconductor
2SA2040-E, Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27.60 руб.
670 шт.,
срок 4-6 недель
от 100 шт. — 24.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 276 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.2@40mA@2A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.39@175mA@3.5A|0.4@40mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
8
Minimum DC Current Gain
200@500mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW)
1000
Maximum Transition Frequency (MHz)
290(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Bag
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TP
Standard Package Name
TO-251
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
5.5
Package Length
6.5
Package Width
2.3
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet 2SA2040-E

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.