50A02SS-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 3500 шт.
Добавить в корзину 3500 шт.
на сумму 35 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@10mA@100mA |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.12@10mA@100mA |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.4 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 690(Typ) |
| Minimum DC Current Gain | 200@10mA@2V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Obsolete |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SSFP |
| Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 520 КБ
Datasheet 50A02SS-TL-E
pdf, 520 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
