Мой регион: Россия

2SC6099-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Ном. номер: 8001016485
PartNumber: 2SC6099-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
2SC6099-TL-E, Trans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
74 руб.
2800 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 59.10 руб.
от 25 шт. — 58.50 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 148 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
NRND
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
120
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6.5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.2@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.165@100mA@1A
Maximum DC Collector Current (A)
2
Minimum DC Current Gain
300@100mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
800
Maximum Transition Frequency (MHz)
300(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TP-FA
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.3
Package Length
6.5
Package Width
5.5
PCB changed
2
Tab
Tab

Дополнительная информация

Datasheet 2SC6099-TL-E

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.