Мой регион: Россия

2SB1202S-E, Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag

Ном. номер: 8001016505
PartNumber: 2SB1202S-E
Производитель: ON Semiconductor
2SB1202S-E, Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40 руб.
1161 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 36.90 руб.
от 100 шт. — 30.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 120 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.2@100mA@2A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.7@100mA@2A
Maximum DC Collector Current (A)
5
Minimum DC Current Gain
140@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW)
1000
Maximum Transition Frequency (MHz)
150(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Bag
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TP
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
5.5
Package Length
6.5
Package Width
2.3
PCB changed
3
Tab
Tab

Дополнительная информация

Datasheet 2SB1202S-E

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.