Мой регион: Россия

SIHB12N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Ном. номер: 8001016746
PartNumber: SIHB12N60E-GE3
Производитель: Vishay
Фото 1/2 SIHB12N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 SIHB12N60E-GE3, Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
220 руб.
1012 шт.,
срок 4-6 недель
от 10 шт. — 199 руб.
от 100 шт. — 138 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
270 руб. 2 недели, 666 шт. 1 шт. 1 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor
The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Transistor Configuration
Single
Brand
Vishay
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation
147 W
Series
E Series
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V

Дополнительная информация

Datasheet SIHB12N60E-GE3

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.