Мой регион: Россия

2N5179, Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72

Ном. номер: 8001017584
PartNumber: 2N5179
Производитель: Microsemi
2N5179, Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
346 руб.
111 шт.,
срок 4-6 недель
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 346 руб.

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.75
Type
NPN
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
20
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
12
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)
<20
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4@1mA@10mA
Maximum Emitter Base Voltage (V)
2.5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1@1mA@10mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.05
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.001 to 0.06
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
20000
Operational Bias Conditions
6V/1.5mA
Minimum DC Current Gain
25@3mA@1V
Minimum DC Current Gain Range
2 to 30
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Typical Power Gain (dB)
20(Min)
Maximum Transition Frequency (MHz)
1500(Typ)
Maximum Noise Figure (dB)
4.5
Automotive
No
Pin Count
4
Supplier Package
TO-72
Standard Package Name
TO-72
Military
No
Diameter
5.84(Max)
Mounting
Through Hole
Package Height
5.33(Max)
PCB changed
4

Дополнительная информация

Datasheet 2N5179

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.