IPD50N06S409ATMA2, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD50N06S409ATMA2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 400 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon OptiMOS series N-channel MOSFET in DPAK package has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of highest current capability, lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency and robust packages with superior quality and reliability.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.009 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.0071Ом |
| Power Dissipation | 71Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 71Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0071Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPD50N06S409ATMA2
pdf, 164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
