IRF530STRLPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 152 000 руб.
Описание
МОП-транзистор N-Chan 100V 14 Amp
Технические параметры
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 670 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 34 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 219 КБ
Datasheet IRF530STRLPBF
pdf, 176 КБ
