Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFP450LCPBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRFP450LCPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 190Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

420 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 7 шт. — 370 руб.

от 13 шт. — 347 руб.

от 25 шт. — 333 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 840 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003180530

Артикул: IRFP450LCPBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 190Вт

Технические параметры

Корпус	TO-247-3
Id - непрерывный ток утечки	14 A
Pd - рассеивание мощности	190 W
Qg - заряд затвора	74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	500
Fall Time	30 ns
Forward Transconductance - Min	8.7 S
Height	20.7 mm
Id - Continuous Drain Current	14 A
Length	15.87 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	190 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Rise Time	49 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Unit Weight	1.340411 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	5.31 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	14 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation	190 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	74 nC @ 10 V
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	14
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	400@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	500
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	190000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO-247
Supplier Package	TO-247AC
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	30
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	74(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	74(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2200@25V
Typical Rise Time (ns)	49
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	30
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
Вес, г	6.28