Мой регион: Россия

BD679AS, NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST

Ном. номер: 8001101436
PartNumber: BD679AS
Производитель: ON Semiconductor
BD679AS, NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 руб.
12000 шт. со склада г.Москва,
срок 3-4 недели
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 36 000 руб.
В кредит от 1 770 руб./мес

Технические параметры

EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
4
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
200
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2.8@40mA@2A
Minimum DC Current Gain
750@2A@3V
Maximum Power Dissipation (mW)
40000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Bag
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-126
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
11.2(Max)
Package Length
8.3(Max)
Package Width
3.45(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet BD679AS

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.