IRFP140PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 22А, 180Вт, TO247AC

Фото 1/3 IRFP140PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 22А, 180Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 руб.
от 5 шт.320 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8021501430
Артикул: IRFP140PBF

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 22А, 180Вт, TO247AC Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 31
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 77@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 72(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 72(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1700@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 180000
Typical Fall Time (ns) 43
Typical Rise Time (ns) 44
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 53
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-247AC
Standard Package Name TO-247
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 20.7(Max)
Package Length 15.87(Max)
Package Width 5.31(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Base Product Number IRFP140 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
FET Feature -
Manufacturer Vishay Siliconix
Packaging Tube
Series -
Maximum Continuous Drain Current 31 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Package Type TO-247AC
Вес, г 5.67

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1003 КБ
Datasheet IRFP140PBF
pdf, 1783 КБ
Документация
pdf, 1783 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов