ST13003DN, Trans GP BJT NPN 400V 1A 20000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Bag

ST13003DN, Trans GP BJT NPN 400V 1A 20000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Bag
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
988 шт., срок 6-8 недель
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Добавить в корзину 130 шт. на сумму 33 800 руб.
Номенклатурный номер: 8001147685
Артикул: ST13003DN
Бренд: STMicroelectronics

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Obsolete
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 400
Maximum Emitter Base Voltage (V) 9
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 1.3@330mA@1A|1.2@125mA@0.5A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.7@125mA@0.5A|1.2@330mA@1A
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 6@0.5A@2V|5@1A@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 20000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Bag
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-32
Standard Package Name TO-126
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 10.8(Max)
Package Length 7.8(Max)
Package Width 2.7(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet ST13003DN
pdf, 148 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.