BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/3 BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
93 руб.
60 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.38 руб.
от 150 шт.33 руб.
от 500 шт.26.68 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8017630661
Артикул: BFS17NTA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Base Voltage (V) 20
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 500
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5 5mA 25mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 11
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) <20
Maximum DC Collector Current (A) 0.05
Maximum DC Collector Current Range (A) 8 to 100
Maximum Emitter Base Voltage (V) 3
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) 500
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance 403 C/W
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Transition Frequency (MHz) 3200(Typ)
Minimum DC Current Gain 56 5mA 10V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name SOT-23
Supplier Package SOT-23
Supplier Temperature Grade Automotive
Type NPN
Typical Output Capacitance (pF) 0.8
Collector Emitter Voltage Max 11В
Continuous Collector Current 50мА
DC Current Gain hFE Min 56hFE
DC Ток Коллектора 50мА
DC Усиление Тока hFE 56hFE
Power Dissipation 310мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-23
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 11В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 3.2ГГц
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 11 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 56 at 5 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 3.2 GHz
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 310 mW
Product Category: RF Bipolar Transistors
Product Type: RF Bipolar Transistors
Series: BFS17
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Type: Bipolar
Вес, г 0.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 145 КБ
Datasheet BFS17NTA
pdf, 141 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов