NTD4858NT4G, Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 2/2 NTD4858NT4G, Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Фото 1/2 NTD4858NT4G, Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
355 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
109 руб.
от 10 шт.91.80 руб.
от 25 шт.86.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 109 руб.
Номенклатурный номер: 8001204608
Артикул: NTD4858NT4G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 14
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 6.2 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 25
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 25.7
Typical Gate to Drain Charge (nC) 5.2
Typical Gate to Source Charge (nC) 4.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1563 12V
Typical Output Capacitance (pF) 405
Typical Reverse Recovery Charge (nC) 3
Id - непрерывный ток утечки 14 A
Pd - рассеивание мощности 2 W
Qg - заряд затвора 19.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.45 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20.2 ns, 17.3 ns
Время спада 5.1 ns, 2.8 ns
Высота 2.38 mm
Длина 6.73 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия NTD4858N
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 16.4 ns, 23.8 ns
Типичное время задержки при включении 12.6 ns, 7.7 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm

Техническая документация

Datasheet NTD4858NT4G
pdf, 272 КБ
Datasheet NTD4858NT4G
pdf, 280 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах