Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF9640STRRPBF, Транзистор полевой ...

IRF9640STRRPBF, Транзистор полевой P-канальный 200В 11A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 13 шт. — 110 руб.

от 25 шт. — 104 руб.

от 50 шт. — 100 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.

Номенклатурный номер: 8007344723

Артикул: IRF9640STRRPBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 200В 11A

Технические параметры

Корпус	D2Pak(TO-263)
Id - непрерывный ток утечки	11 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	44 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.8 A
Maximum Drain Source Resistance	500 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	44 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, г	1.438