2SD882, Trans GP BJT NPN 30V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Ном. номер: 8001211147
PartNumber: 2SD882
Производитель: ST Microelectronics
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
|
47 руб.
|
1270 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели |
|
|
от 10 шт. — 41.80 руб.
от 100 шт. — 33.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
|
||
| Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
|---|---|---|---|---|
| 17 руб. | 423 шт. | 1 шт. | 242 шт. | |
|
от 400 шт. — 14.50 руб.
|
||||
| 65 руб. | 2-3 недели, 1085 шт. | 5 шт. | 5 шт. | |
|
от 25 шт. — 60 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
|
||||
| 76 руб. | 1-2 недели, 510 шт. | 10 шт. | 10 шт. | |
|
от 20 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 52 руб.
|
||||
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Технические параметры
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,2 В
Длина
7.8мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 V
Тип корпуса
SOT-32
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
10.8мм
Число контактов
3
Размеры
10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.