SUD50N06-09L-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 руб.
от 5 шт. —
360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Описание
The SUD50N06-09L-E3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
• -55 to 175°C Operating temperature range
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.3 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 8300 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 47 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 47 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2650 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
