NTD4805NT4G, Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 2/3 NTD4805NT4G, Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/RФото 3/3 NTD4805NT4G, Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Фото 1/3 NTD4805NT4G, Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
849 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
57 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.56.70 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 171 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001215223
Артикул: NTD4805NT4G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

МОП-транзистор NFET 30V 88A 5MOHM

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 95 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 79 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.38мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.38мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 17,2 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 30,8 нс
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток 7,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 20,5 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2865 пФ при 12 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки 88 A
Pd - рассеивание мощности 2.24 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20.5 ns, 20.3 ns
Время спада 4.4 ns, 8 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 17 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия NTD4805N
Технология Si
Тип Power MOSFETs
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 10.8 ns, 17.2 ns
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 12.7A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 1.41W
Rds On - Drain-Source Resistance 5mО© @ 30A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet NTD4805NT4G
pdf, 145 КБ
Datasheet
pdf, 116 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах