IRLZ44SPBF, MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
490 руб.
от 250 шт. —
474 руб.
от 500 шт. —
407.37 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 29 500 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) SMD-220
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28 5V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | SMD-220 |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 110 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 66(Max)5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3300 25V |
Typical Rise Time (ns) | 230 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
Техническая документация
Datasheet IRLZ44SPBF
pdf, 434 КБ
Datasheet IRLZ44SPBF
pdf, 486 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов