ZXTN25100DFHTA, Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 2/3 ZXTN25100DFHTA, Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/RФото 3/3 ZXTN25100DFHTA, Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Фото 1/3 ZXTN25100DFHTA, Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
194380 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
71 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.59.60 руб.
от 100 шт.44 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 142 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001219857
Артикул: ZXTN25100DFHTA
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1810 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 175 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZXTN25100
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 100V
Maximum DC Collector Current 2.5A
Pd - Power Dissipation 1.25W
Transistor Type NPN

Техническая документация

Datasheet ZXTN25100DFHTA
pdf, 385 КБ
Datasheet ZXTN25100DFHTA
pdf, 376 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах