IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.

Номенклатурный номер: 8030891169

Артикул: IRF630SPBF

МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D2-PA

Id - непрерывный ток утечки	9 A
Pd - рассеивание мощности	74 W
Qg - заряд затвора	43 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	4.83 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-263-3
Ширина	9.65 mm
Вес, г	1.48

pdf, 173 КБ

Мы рекомендуем