IPD135N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 2/2 IPD135N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Фото 1/2 IPD135N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2675 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
106 руб.
от 10 шт.92.40 руб.
от 25 шт.89.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 106 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001222747
Артикул: IPD135N03LGATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IPD135N03L G - это N-канальный MOSFET-транзистор с низким сопротивлением и без галогенов.

• Сверхнизкий заряд затвора и выхода
• Увеличенный срок службы батареи
• Улучшенное поведение EMI делает устаревшими внешние демпфирующие сети
• Снижение потерь мощности

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 30 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № G IPD135N03L IPD135N3LGXT SP000796912
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия OptiMOS 3
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm

Техническая документация

Datasheet IPD135N03LGATMA1
pdf, 1397 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах