2SC5658RM3T5G, Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R

2SC5658RM3T5G, Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 260mW 3-Pin SOT-723 T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22350 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
3.70 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
от 100 шт.3.60 руб.
Добавить в корзину 30 шт. на сумму 111 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001223548
Артикул: 2SC5658RM3T5G
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 260 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.55 mm
Длина 1.25 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 560
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 180 MHz
Размер фабричной упаковки 8000
Серия 2SC5658RM3
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-723-3
Ширина 0.85 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage 50V
Maximum DC Collector Current 100mA
Pd - Power Dissipation 260mW
Transistor Type NPN

Техническая документация

Datasheet 2SC5658RM3T5G
pdf, 98 КБ
Datasheet
pdf, 95 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах